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      公告顯示,硅基AlGaN垂直結構近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應用屬于第三代半導體材料與器件專項類別。國星光電表示,目前絕大多數近紫外LED都是藍寶石襯底,易產生張應力甚至裂紋,而硅襯底具有尺寸大、成本低、熱導率高等優點,有利于LED器件小型化和高電流密度化。項目通過產學研結合發揮產業鏈整合優勢,從硅基AlGaN垂直結構近紫外大功率LED外延、芯片、封裝及應用四個層面切入,研制具有自主創新的紫外大功率LED器件并形成產業化示范,有助于提升國內近紫外LED行業的國際競爭力,帶動廣東乃至全國的LED產業升級。

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